STMicroelectronics STGW40H65DFB IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 87,72

(excl. BTW)

€ 106,14

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 30 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Plus verzending 30 stuk(s) vanaf 07 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 - 60€ 2,924€ 87,72
90 - 480€ 2,848€ 85,44
510 +€ 2,777€ 83,31

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
168-7094
Fabrikantnummer:
STGW40H65DFB
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

283 W

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Land van herkomst:
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links