IXYS MIXA225PF1200TSF, Type N-Channel IGBT Module, 360 A 1200 V, 11-Pin SimBus F, PCB

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 127,21

(excl. BTW)

€ 153,92

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 06 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 4€ 127,21
5 - 9€ 123,90
10 - 24€ 120,71
25 +€ 117,68

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
124-0710
Fabrikantnummer:
MIXA225PF1200TSF
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Product Type

IGBT Module

Maximum Continuous Collector Current Ic

360A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

1100W

Number of Transistors

2

Package Type

SimBus F

Mount Type

PCB

Channel Type

Type N

Pin Count

11

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.8V

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Operating Temperature

-40°C

Standards/Approvals

No

Series

MIXA225PF1200TSF

Height

17mm

Length

152mm

Automotive Standard

No

IGBT Modules, IXYS


IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links