STMicroelectronics STGWA50M65DF2AG Single IGBT, 119 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 110,58

(excl. BTW)

€ 133,80

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 29 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 +€ 3,686€ 110,58

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
215-008
Fabrikantnummer:
STGWA50M65DF2AG
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

119 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

576 W

Number of Transistors

1

Configuration

Single

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Minimized tail current
Tight parameter distribution
Safer paralleling

Gerelateerde Links

Recently viewed