N-Channel MOSFET, 5.6 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRF510PBF
- RS-stocknr.:
- 708-5134
- Fabrikantnummer:
- IRF510PBF
- Fabrikant:
- Vishay
80 op voorraad - levertijd is 1 werkdag(en) (EU-voorraad)
970 op voorraad - levertijd is 3 à 5 werkdagen (UK-voorraad)
Toegevoegd
Prijs Per stuk (in een verpakking 10)
€ 1,288
(excl. BTW)
€ 1,558
(incl. BTW)
| Aantal stuks | Per stuk | Per pak* |
| 10 - 90 | € 1,288 | € 12,88 |
| 100 - 240 | € 0,967 | € 9,67 |
| 250 - 490 | € 0,799 | € 7,99 |
| 500 - 990 | € 0,709 | € 7,09 |
| 1000 + | € 0,516 | € 5,16 |
| *prijsindicatie | ||
- RS-stocknr.:
- 708-5134
- Fabrikantnummer:
- IRF510PBF
- Fabrikant:
- Vishay
Wetgeving en conformiteit
Productomschrijving
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Specificaties
Kenmerk | Waarde |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.6 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Package Type | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance | 540 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Power Dissipation | 43 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Length | 10.41mm |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Width | 4.7mm |
| Transistor Material | Si |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Height | 9.01mm |
- RS-stocknr.:
- 708-5134
- Fabrikantnummer:
- IRF510PBF
- Fabrikant:
- Vishay