N-Channel MOSFET, 110 A, 250 V, 3-Pin TO-247 IXYS IXTH110N25T
- RS-stocknr.:
- 168-4583
- Fabrikantnummer:
- IXTH110N25T
- Fabrikant:
- IXYS
tijdelijk niet op voorraad – nieuwe voorraad verwacht op 09/10/2024, met een levertijd van 2 à 3 werkdagen.
Prijs Per stuk (in een tube 30)
€ 8,313
(excl. BTW)
€ 10,059
(incl. BTW)
| Aantal stuks | Per stuk | Per tube* |
| 30 - 120 | € 8,313 | € 249,39 |
| 150 - 270 | € 7,482 | € 224,46 |
| 300 + | € 6,817 | € 204,51 |
| *prijsindicatie | ||
- RS-stocknr.:
- 168-4583
- Fabrikantnummer:
- IXTH110N25T
- Fabrikant:
- IXYS
Wetgeving en conformiteit
Productomschrijving
N-Channel Trench-Gate Power MOSFET, IXYS
Trench Gate MOSFET Technology
Low on-state Resistance RDS(on)
Superior avalanche ruggedness
Low on-state Resistance RDS(on)
Superior avalanche ruggedness
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Specificaties
Kenmerk | Waarde |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 110 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Package Type | TO-247 |
| Series | Trench |
| Mounting Type | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance | 24 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Power Dissipation | 694 W |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Length | 16.26mm |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 157 nC @ 10 V |
| Width | 5.3mm |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Height | 21.46mm |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
- RS-stocknr.:
- 168-4583
- Fabrikantnummer:
- IXTH110N25T
- Fabrikant:
- IXYS