- RS-stocknr.:
- 273-5223
- Fabrikantnummer:
- BGA7H1N6E6327XTSA1
- Fabrikant:
- Infineon
tijdelijk niet op voorraad – nieuwe voorraad verwacht op 23/07/2024, met een levertijd van 2 à 3 werkdagen.
Toegevoegd
Prijs Per stuk (op een rol 15000)
€ 0,357
(excl. BTW)
€ 0,432
(incl. BTW)
Aantal stuks | Per stuk | Per reel* |
15000 + | € 0,357 | € 5.355,00 |
*prijsindicatie |
- RS-stocknr.:
- 273-5223
- Fabrikantnummer:
- BGA7H1N6E6327XTSA1
- Fabrikant:
- Infineon
Datasheets
Wetgeving en conformiteit
- Land van herkomst:
- MY
Productomschrijving
The Infineon RF Amplifier is a front end low noise amplifier for LTE which covers a wide frequency range from 2300 MHz to 2690 MHz. The LNA provides 12.5 dB gain and 0.60 dB noise figure at a current consumption of 4.7 mA. This RF amplifier is base on Silicon Germanium technology. It operates from 1.5 V to 3.3 V supply voltage.
Pb free package
RoHS compliant
Low noise figure
Digitally on off switch
Low current consumption
Only 1 external SMD component necessary
RoHS compliant
Low noise figure
Digitally on off switch
Low current consumption
Only 1 external SMD component necessary
Specificaties
Kenmerk | Waarde |
---|---|
Amplifier Type | Low Noise Amplifier |
Typical Power Gain | 12.5 dB |
Typical Noise Figure | 0.6dB |
Number of Channels per Chip | 1 |
Maximum Operating Frequency | 2690 MHz |
Package Type | TSNP-6-2 |
Pin Count | 6 |
- RS-stocknr.:
- 273-5223
- Fabrikantnummer:
- BGA7H1N6E6327XTSA1
- Fabrikant:
- Infineon