- RS-stocknr.:
- 168-4582
- Fabrikantnummer:
- IXGN320N60A3
- Fabrikant:
- IXYS
tijdelijk niet op voorraad – nieuwe voorraad verwacht op 31/07/2024, met een levertijd van 2 à 3 werkdagen.
Toegevoegd
Prijs Per stuk (in een tube 10)
€ 33,127
(excl. BTW)
€ 40,084
(incl. BTW)
Aantal stuks | Per stuk | Per tube* |
10 + | € 33,127 | € 331,27 |
*prijsindicatie |
- RS-stocknr.:
- 168-4582
- Fabrikantnummer:
- IXGN320N60A3
- Fabrikant:
- IXYS
Wetgeving en conformiteit
Productomschrijving
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Specificaties
Kenmerk | Waarde |
---|---|
Maximum Continuous Collector Current | 320 A |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 735 W |
Configuration | Single |
Package Type | SOT-227B |
Mounting Type | Surface Mount |
Channel Type | N |
Pin Count | 4 |
Switching Speed | 5kHz |
Transistor Configuration | Common Emitter |
Dimensions | 38.23 x 25.07 x 9.6mm |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
- RS-stocknr.:
- 168-4582
- Fabrikantnummer:
- IXGN320N60A3
- Fabrikant:
- IXYS