onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)

RS-stocknr.:: 790-5315
Fabrikantnummer:: MJD112-1G
Fabrikant:: onsemi

onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)

Prijs Per stuk (in een verpakking 15)

€ 0,595

(excl. BTW)

€ 0,72

(incl. BTW)

30 op voorraad - levertijd is 1 werkdag(en) (EU-voorraad)*

105 op voorraad - levertijd is 3 à 5 werkdagen (UK-voorraad)

* Bezorgdata kunnen veranderen afhankelijk van de gekozen hoeveelheid en het bezorgadres.

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf 75,00 €

Aantal stuks	Per stuk	Per pak**
15 +	€ 0,595	€ 8,925

**prijsindicatie

RS-stocknr.:: 790-5315
Fabrikantnummer:: MJD112-1G
Fabrikant:: onsemi

Datasheet - MJD112-1G
ESD Control Selection Guide V1

Kenmerk	Waarde
Transistor Type	NPN
Maximum Continuous Collector Current	2 A
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Package Type	IPAK (TO-251)
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Number of Elements per Chip	1
Minimum DC Current Gain	1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	4 V
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	3 V
Maximum Collector Cut-off Current	20µA
Length	6.73mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Maximum Power Dissipation	20 W
Height	6.35mm
Width	2.38mm
Dimensions	6.73 x 2.38 x 6.35mm

onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf 75,00 €

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards