Onlangs gezocht

    Dual N/P-Channel MOSFET, 3 A, 4 A, 30 V, 8-Pin SOIC Infineon IRF7309TRPBF

    RS-stocknr.:
    826-8866P
    Fabrikantnummer:
    IRF7309TRPBF
    Fabrikant:
    Infineon
    Infineon
    Bekijk alle MOSFETs
    Tijdelijk niet op voorraad voor levertijd of een alternatief product neem contact op via Live Chat of zoek een vergelijkbaar product op de website.
    Add to Basket
    Aantal stuks

    Dit product is momenteel niet beschikbaar voor nabestelling.

    We hebben dit product helaas niet op voorraad en het is op dit moment niet beschikbaar voor nabestelling.

    Toegevoegd

    Prijs Each (Supplied on a Reel) Quantities below 150 on continuous strip

    0,698 €

    (excl. BTW)

    0,845 €

    (incl. BTW)

    Aantal stuksPer stuk
    100 - 4800,698 €
    500 - 19800,662 €
    2000 - 39800,561 €
    4000 +0,535 €
    Verpakkingsopties
    RS-stocknr.:
    826-8866P
    Fabrikantnummer:
    IRF7309TRPBF
    Fabrikant:
    Infineon

    Wetgeving en conformiteit


    Productomschrijving

    Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon


    Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.



    MOSFET Transistors, Infineon


    Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.


    Specificaties

    KenmerkWaarde
    Channel TypeN, P
    Maximum Continuous Drain Current3 A, 4 A
    Maximum Drain Source Voltage30 V
    Package TypeSOIC
    Mounting TypeSurface Mount
    Pin Count8
    Maximum Drain Source Resistance80 mΩ, 160 mΩ
    Channel ModeEnhancement
    Maximum Gate Threshold Voltage1V
    Minimum Gate Threshold Voltage1V
    Maximum Power Dissipation1.4 W
    Transistor ConfigurationIsolated
    Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
    Maximum Operating Temperature+150 °C
    Length5mm
    Number of Elements per Chip2
    Transistor MaterialSi
    Width4mm
    Typical Gate Charge @ Vgs25 nC @ 4.5 V
    Height1.5mm
    SeriesHEXFET
    Minimum Operating Temperature-55 °C
    Tijdelijk niet op voorraad voor levertijd of een alternatief product neem contact op via Live Chat of zoek een vergelijkbaar product op de website.
    Add to Basket
    Aantal stuks

    Dit product is momenteel niet beschikbaar voor nabestelling.

    We hebben dit product helaas niet op voorraad en het is op dit moment niet beschikbaar voor nabestelling.

    Toegevoegd

    Prijs Each (Supplied on a Reel) Quantities below 150 on continuous strip

    0,698 €

    (excl. BTW)

    0,845 €

    (incl. BTW)

    Aantal stuksPer stuk
    100 - 4800,698 €
    500 - 19800,662 €
    2000 - 39800,561 €
    4000 +0,535 €
    Verpakkingsopties