N-Channel MOSFET, 5.8 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2366DS-T1-GE3
- RS-stocknr.:
- 812-3132
- Fabrikantnummer:
- SI2366DS-T1-GE3
- Fabrikant:
- Vishay
40 op voorraad - levertijd is 1 werkdag(en) (EU-voorraad)
500 op voorraad - levertijd is 3 à 5 werkdagen (UK-voorraad)
Toegevoegd
Prijs Per stuk (in een verpakking 20)
€ 0,13
(excl. BTW)
€ 0,16
(incl. BTW)
| Aantal stuks | Per stuk | Per pak* |
| 20 + | € 0,13 | € 2,60 |
| *prijsindicatie | ||
- RS-stocknr.:
- 812-3132
- Fabrikantnummer:
- SI2366DS-T1-GE3
- Fabrikant:
- Vishay
Wetgeving en conformiteit
- Land van herkomst:
- CN
Productomschrijving
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Specificaties
Kenmerk | Waarde |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.8 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Package Type | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance | 42 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Width | 1.4mm |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6.4 nC @ 10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Length | 3.04mm |
| Transistor Material | Si |
| Height | 1.02mm |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
- RS-stocknr.:
- 812-3132
- Fabrikantnummer:
- SI2366DS-T1-GE3
- Fabrikant:
- Vishay