P-Channel MOSFET, 8 A, 60 V, 3-Pin DPAK Toshiba TJ8S06M3L

RS-stocknr.:: 171-2492
Fabrikantnummer:: TJ8S06M3L
Fabrikant:: Toshiba

P-Channel MOSFET, 8 A, 60 V, 3-Pin DPAK Toshiba TJ8S06M3L

20 op voorraad - levertijd is 1 werkdag(en) (EU-voorraad)

170 op voorraad - levertijd is 3 à 5 werkdagen (UK-voorraad)

Toegevoegd

Prijs Per stuk (in een verpakking 10)

€ 0,946

(excl. BTW)

€ 1,145

(incl. BTW)

Aantal stuks	Per stuk	Per pak*
10 - 40	€ 0,946	€ 9,46
50 - 90	€ 0,859	€ 8,59
100 - 990	€ 0,66	€ 6,60
1000 +	€ 0,408	€ 4,08
*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 171-2492
Fabrikantnummer:: TJ8S06M3L
Fabrikant:: Toshiba

Datasheets

Wetgeving en conformiteit

Vrijgesteld

Land van herkomst:: JP

Productomschrijving

Applications
Automotive
Motor Drivers
DC-DC Converters
Switching Voltage Regulators
Features
Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 80 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)
Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -60V)
Enhancement mode: Vth = -2.0 to -3.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

Specificaties

Kenmerk	Waarde
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	8 A
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Package Type	DPAK (TO-252)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	130 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	3V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	27 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +10 V
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Width	7mm
Typical Gate Charge @ Vgs	19 nC @ 10 V
Length	6.5mm
Automotive Standard	AEC-Q101
Forward Diode Voltage	1.2V
Height	2.3mm

RS-stocknr.:: 171-2492
Fabrikantnummer:: TJ8S06M3L
Fabrikant:: Toshiba