Dual N-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SQ4920EY-T1_GE3
- RS-stocknr.:
- 170-8297
- Fabrikantnummer:
- SQ4920EY-T1_GE3
- Fabrikant:
- Vishay
tijdelijk niet op voorraad – nieuwe voorraad verwacht op 04/09/2024, met een levertijd van 2 à 3 werkdagen.
Toegevoegd
Prijs Per stuk (op een rol 2500)
€ 0,68
(excl. BTW)
€ 0,82
(incl. BTW)
| Aantal stuks | Per stuk | Per reel* |
| 2500 + | € 0,68 | € 1.700,00 |
| *prijsindicatie | ||
- RS-stocknr.:
- 170-8297
- Fabrikantnummer:
- SQ4920EY-T1_GE3
- Fabrikant:
- Vishay
Wetgeving en conformiteit
Productomschrijving
Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Specificaties
Kenmerk | Waarde |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Package Type | SOIC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 8 |
| Maximum Drain Source Resistance | 17.5 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Power Dissipation | 4.4 W |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Transistor Material | Si |
| Width | 4mm |
| Length | 5mm |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 19.7 nC @ 10 V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Height | 1.5mm |