N-Channel MOSFET, 3 A, 900 V, 3 + Tab-Pin TO-3P Renesas 2SK1339-E
- RS-stocknr.:
- 124-3649
- Fabrikantnummer:
- 2SK1339-E
- Fabrikant:
- Renesas Electronics
Op voorraad - levertijd 3 à 5 werkdagen.
Toegevoegd
Prijs Per stuk (in een verpakking 2)
€ 3,225
(excl. BTW)
€ 3,902
(incl. BTW)
| Aantal stuks | Per stuk | Per pak* |
| 2 - 2 | € 3,225 | € 6,45 |
| 4 - 8 | € 2,91 | € 5,82 |
| 10 - 48 | € 2,635 | € 5,27 |
| 50 - 98 | € 2,42 | € 4,84 |
| 100 + | € 2,24 | € 4,48 |
| *prijsindicatie | ||
- RS-stocknr.:
- 124-3649
- Fabrikantnummer:
- 2SK1339-E
- Fabrikant:
- Renesas Electronics
Wetgeving en conformiteit
- Land van herkomst:
- JP
Productomschrijving
N-Channel High Voltage MOSFETs 150V and Over, Renesas Electronics
MOSFET Transistors, Renesas Electronics (NEC)
Specificaties
Kenmerk | Waarde |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 900 V |
| Package Type | TO-3P |
| Mounting Type | Through Hole |
| Pin Count | 3 + Tab |
| Maximum Drain Source Resistance | 7 Ω |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Power Dissipation | 80 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Transistor Material | Si |
| Length | 15.6mm |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Width | 4.8mm |
| Height | 19.9mm |
| Forward Diode Voltage | 0.9V |
- RS-stocknr.:
- 124-3649
- Fabrikantnummer:
- 2SK1339-E
- Fabrikant:
- Renesas Electronics