MOSFET Vishay SIA817EDJ-T1-GE3
- RS-stocknr.:
- 180-7339
- Fabrikantnummer:
- SIA817EDJ-T1-GE3
- Fabrikant:
- Vishay
tijdelijk niet op voorraad – nieuwe voorraad verwacht op 17/09/2025, met een levertijd van 2 à 3 werkdagen.
Toegevoegd
Prijs Per stuk (op een rol 3000)
€ 0,173
(excl. BTW)
€ 0,209
(incl. BTW)
| Aantal stuks | Per stuk | Per reel* |
| 3000 - 3000 | € 0,173 | € 519,00 |
| 6000 + | € 0,164 | € 492,00 |
| *prijsindicatie | ||
- RS-stocknr.:
- 180-7339
- Fabrikantnummer:
- SIA817EDJ-T1-GE3
- Fabrikant:
- Vishay
Datasheets
Wetgeving en conformiteit
- Land van herkomst:
- CN
Productomschrijving
The Vishay SIA817EDJ is a P-channel MOSFET with schottky diode having drain to source(Vds) voltage of -30V. It is having configuration of dual plus integrated schottky. The gate to source voltage(VGS) is 12V. It is having power PAK SC-70 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.065ohms at 10VGS and 0.08ohms at 4.5VGS. Maximum drain current -4.5A.
Little foot plus Schottky power MOSFET
Thermally enhanced Power PAK SC-70 package small footprint area low on resistance thin 0.75 mm profile
Typical ESD protection (MOSFET): 1500 V (HBM)
Thermally enhanced Power PAK SC-70 package small footprint area low on resistance thin 0.75 mm profile
Typical ESD protection (MOSFET): 1500 V (HBM)